この製品は、限定書き込みの不揮発性メモリにウェアレベリング動作を実装していないか、実装が間違っている。
NANDフラッシュ、EEPROMなどの不揮発性メモリは、個別に消去可能なセグメントを持ち、各セグメントは限られた回数のプログラム/消去または書き込みサイクルにかけることができる。例えば、デバイスは限られた回数の書き込みにしか耐えられず、それを過ぎるとデバイスは信頼できなくなる。セルを均一に消耗させるために、上述の技術に基づく不揮発性メモリやストレージ製品は、ウェアレベリングと呼ばれる技術を実装している。設定された閾値に達すると、ウェアレベリングは論理ブロックの書き込みを別の物理ブロックにマッピングする。これにより、書き込みが集中することで1つの物理ブロックが早期に故障することを防ぎます。
The product does not implement or incorrectly implements wear leveling operations in limited-write non-volatile memories.
Non-volatile memories such as NAND Flash, EEPROM, etc. have individually erasable segments, each of which can be put through a limited number of program/erase or write cycles. For example, the device can only endure a limited number of writes, after which the device becomes unreliable. In order to wear out the cells in a uniform manner, non-volatile memory and storage products based on the above-mentioned technologies implement a technique called wear leveling. Once a set threshold is reached, wear leveling maps writes of a logical block to a different physical block. This prevents a single physical block from prematurely failing due to a high concentration of writes.