このデバイスは、電磁障害注入攻撃の影響を受けやすく、デバイスの内部情報が漏洩したり、セキュリティ・メカニズムがバイパスされたりする。
電磁フォールト・インジェクションは、攻撃者が集積回路の信号(内部と外部の両方)を局所的かつ動的に変更することを可能にする可能性があります。EM-FI 攻撃は、デバイス近傍に局所的な過渡磁界を発生させ、デバイス配線に電流を誘導する。典型的な EMFI のセットアップは、EMI コイルに大電流の過渡電流を発生させるパルス・インジェクション回路で構成され、急峻な磁気パルスを発生させ、それがターゲットにカップリングしてデバイスにフォールトを生じさせます:
The device is susceptible to electromagnetic fault injection attacks, causing device internal information to be compromised or security mechanisms to be bypassed.
Electromagnetic fault injection may allow an attacker to locally and dynamically modify the signals (both internal and external) of an integrated circuit. EM-FI attacks consist of producing a local, transient magnetic field near the device, inducing current in the device wires. A typical EMFI setup is made up of a pulse injection circuit that generates a high current transient in an EMI coil, producing an abrupt magnetic pulse which couples to the target producing faults in the device, which can lead to: